Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

Puntuación global

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

13 11.9

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 44

En -63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.6 8.2

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2069 1378

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns