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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
44
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
44
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2069
1378
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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