Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13 left arrow 11.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 44
    Wokół strony -63% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.6 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    44 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.0 left arrow 11.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 8.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2069 left arrow 1378
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania