RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2834
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link