RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2834
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link