RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
30
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2834
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link