RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
4022
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link