RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2735
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link