RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
45
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2735
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link