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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
35
读取速度,GB/s
12.3
15.4
写入速度,GB/s
8.0
10.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2735
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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