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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2527
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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