Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 47
    En 23% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.7 left arrow 7.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 6.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
    En 1.25 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 47
  • Velocidad de lectura, GB/s
    7.6 left arrow 9.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.6 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    867 left arrow 1549
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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