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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Compara
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
47
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.7
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
36
47
Velocidad de lectura, GB/s
7.6
9.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
10600
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
867
1549
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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