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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Comparez
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
47
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
8500
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
36
47
Vitesse de lecture, GB/s
7.6
9.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
10600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
867
1549
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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