Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB против SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 47
    Около 23% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.7 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    6.8 left arrow 6.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 8500
    Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 47
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.6 left arrow 9.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.6 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    867 left arrow 1549
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения