RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
48
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3086
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link