RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
48
En -118% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3220
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link