RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
48
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3386
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link