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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
48
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2478
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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