RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
48
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
33
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2478
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link