RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
48
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2706
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link