RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
48
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3469
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link