RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3469
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link