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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
48
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
24
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2440
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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