RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
48
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
24
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2440
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link