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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
48
En -66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3461
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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