RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
48
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
3660
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link