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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
48
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2590
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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