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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
48
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2466
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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