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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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更快的读取速度,GB/s
11.6
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
48
读取速度,GB/s
8.9
11.6
写入速度,GB/s
5.9
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2466
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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