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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
48
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
25
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2340
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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