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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
48
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
25
读取速度,GB/s
8.9
14.8
写入速度,GB/s
5.9
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2340
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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