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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
10.4
13.3
写入速度,GB/s
7.8
6.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2003
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
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