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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
47
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2821
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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