RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2821
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link