RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2821
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link