RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
55
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
55
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
2870
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link