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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
3448
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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