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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
2460
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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