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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
3414
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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