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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
2735
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-020.A00G 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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