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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
41
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
41
40
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
1730
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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