RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
41
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
19
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
3220
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link