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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
3238
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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