RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
40
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2281
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link