RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
40
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2281
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link