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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
41
Autour de -64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
2045
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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