Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Note globale
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.3 left arrow 12.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 41
    Autour de -64% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.6 left arrow 8.3
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    41 left arrow 25
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.3 left arrow 12.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.3 left arrow 8.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2176 left arrow 2045
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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