Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 41
    周辺 -64% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 8.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2176 left arrow 2045
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較