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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
41
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
41
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
2045
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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