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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
40
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3081
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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