RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
40
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3081
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link